was ist ein n-leiter?

n-leiter:

in kurz: - wenn ein strom durch freie elektronen verursacht wir, spricht man von n-leitung.

oder länger: - wenn man einem siliciumkristall energie in form von wärme oder licht zuführt, lösen sich elektronen von den siliciumatomen. sie stehen dann als freie elektronen für einen strom zur verfügung. der widerstand des halbleiters nimmt daher mit steigender Temperatur ab. wenn im halbleiter ströme durch die bewegung freier elektronen zustande kommen, spricht man von elektroneneigenleitung oder n-leitung (n für negative ladung).

p-leiter:

in kurz: - wird der strom durch löcher verursacht, so spricht man von p-leitung.

oder länger: - in einem halbleiterkristall können die äußeren bindungselektronen der atome in benachbarte löcher "hüpfen". legt man eine spannung an den halbleiter, so bewegen sich die bindungselektronen dabei auf den pluspol zu. die löcher scheinen sich entgegengesetzt zu bewegen. man spricht von einer löchereigenleitung oder p-leitung. die löcherleitung gibt es nur bei halbleitern, nicht bei metallen.

und hier mal eine grafik ^^ : http://www.realschule.bayern.de/lehrer/dokumente/u...

so steht es in meinem physikbuch =DD

also viel glück ^^

Halbleiteratome haben 4 Elektronen auf der äußersten Schale. d.h. das sie vier Elektronenpaarbindungen zu ihren Nachbaratomen eingehen. Bei dem n-Leiter wurde ein Atom eingebaut, das ein Elektron auf der äußersten Schale mehr hat als das Halbleiteratom hat (also 5)

Damit hat es im Vergleich zu einem undotierten Halbleiterelement mehr negative Ladungen, also n wie negativ.

Bei dem p-Leiter wurde ein Atom mit 3 Elektronen auf der äußersten Schale eingebaut. damit hat es weniger negative Ladungen im Vergleich zu dem undotierten Halbleiterelement. dewegen p wie positiv.

Hoffe konnte dir helfen

LG

Verena

Die n-Dotierung des Halbleiters wird durch den gezielten Einbau 5-wertiger Fremdatome (Donator-Atome z.B. Phosphor) in das reine Halbleitergitter erreicht. Die dadurch entstehenden Störstellen sorgen im Zusammenhang mit den Warmeschwingungen des Gitters für mehr kurzzeitig freie Elektronen (negative bewegliche Ladungsträger) und verringern somit den elektrischen Widerstand im Halbleiter-Gitter.

Die p-Dotierung des Halbleiters wird durch den gezielten Einbau 3-wertiger Fremdatome (Akzeptor-Atome z.B. Aluminium) erreicht. Die dadurch entstehenden Störstellen sorgen im Zusammenhang mit den Warmeschwingungen des Gitters für mehr positive bewegliche Ladungsträger = Defektelektronen / Löcher, was ebenfalls den elektrischen Widerstand im Halbleiter-Gitter verringert.

Die Dotierung erfolgt im Verhältnis von ca. 1 Fremdatom : 1 Million Halbleiteratome.

na wenn du das heut nicht weist, dann hat es keinen sinn mehr, hat wohl was mit strom zu tun, null-leiter

und phasen-leiter